感光元件黑科技 Sony发表1000fps高速录影CMOS感光元件

651℃ 262评论

作为智慧型手机的 CMOS 感光元件大厂,Sony 在这个领域中以积极突破创新的方式在证明自己的实力。并在近期发表了一款加入 DRAM 的三层堆叠结构感光元件,让所有录影数据能记录在 DRAM 中,更创造出 1,000fps 的高速录影能力。

感光元件黑科技 Sony发表1000fps高速录影CMOS感光元件

Sony 新发表的 CMOS 尺寸为 1/2.3 吋,解析度是 5,520 x 3,840,有效画素则是 21.2MP,而且只需 1/120 秒的时间,就可输出 19.3MP 的静态影像,以现有 CMOS 感光元件的 4 倍速度,来减少高速快门所产生的果冻感。不同于传统双层式结构 CMOS 的是,Sony 在这个新的 CMOS 中加入了第三层堆叠结构 DRAM,让镜头录影时的所有数据都能独立且快速的记录在 DRAM 上,使 Sony 这颗新的 CMOS 拥有 FUD/1,000fps 的超高速录影能力,远远超越目前智慧型手机中,拥有 FHD/240fps 的 Google Pixel,成为智慧型手机中速度最快的 CMOS 感光元件,也让使用者可以录製更细緻、流畅的慢动作影片。

感光元件黑科技 Sony发表1000fps高速录影CMOS感光元件

感光元件黑科技 Sony发表1000fps高速录影CMOS感光元件

 

虽然 Sony 发表了具有 FHD/1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件,但未来何时会正式应用、会应用在哪一款手机上,甚至是贩售给哪个品牌手机做使用都还无法确认。不过,从 Sony 发表的这个 CMOS 感光元件可以看出,在积极追求拍照画质的情况下,录影品质可能会是下个各品牌都会努力强化的方向之一,喜欢高速摄影的朋友可以开始期待啰。